SiC kristalli o'sishi uchun gözenekli grafit

Yarimo'tkazgich ishlab chiqarish sanoatida g'ovakli grafit o'zining noyob fizik va kimyoviy xossalari tufayli ajralmas ilg'or uglerod materialiga aylandi. Semixlab og'ir sharoitlarda sizning talablaringizni qondirish uchun yuqori sifatli g'ovakli grafit mahsulotlarini taqdim etishga intiladi.

G'ovakli grafitning asosiy fizik xususiyatlari

Gözenekli grafit yuqori tozalikdagi grafit materialiga asoslangan bo'lib, bir xil tuzilishga va boshqariladigan g'ovaklikka ega bo'lgan gözenekli strukturani shakllantirish uchun ilg'or texnikalar yordamida qayta ishlanadi. Uning asosiy jismoniy xususiyatlariga quyidagilar kiradi:

● Yuqori tozalik: uglerod miqdori 99.9% gacha, nopoklik darajasi juda past.

● Ajoyib kimyoviy inertlik: hatto haddan tashqari harorat va korroziy atmosferalarda ham barqaror bo'lib qoladi.

● Past issiqlik o'tkazuvchanligi: yuqori haroratli muhitda ajoyib issiqlik izolyatsiyasi ko'rsatkichlarini namoyish etadi.

● Boshqariladigan porozlik: barqaror va sozlanishi gaz o'tkazuvchanligi bilan har xil g'ovak o'lchamlarini moslashtirishni qo'llab-quvvatlaydi.

● Termal barqarorlik: 2000 ° C dan yuqori ekstremal sharoitlarda barqaror ishlashi mumkin.

Bu xususiyatlar gözenekli grafitni issiqlik maydon tizimlari, izolyatsiyalash komponentlari va gaz diffuziya komponentlari uchun ideal tanlov qiladi, ayniqsa SiC monokristalli o'sish pechlarida, uning ishlash afzalliklari ayniqsa sezilarli.

Silikon karbidli yagona kristalli o'sish pechlarida gözenekli grafitning asosiy roli

Silikon karbidli (SiC) ilg'or monokristalli pechlarda g'ovakli grafit muhim rol o'ynaydi, uning uchta asosiy funktsiyasi yuqori sifatli SiC kristallarining muvaffaqiyatli o'sishi uchun juda muhimdir:

Past issiqlik o'tkazuvchanligi mukammal izolyatsiyani ta'minlaydi, o'choq ichidagi yuqori haroratni saqlaydi va aniq harorat gradyanlarini o'rnatadi.

SiC kristalining o'sishi paytida o'choq 2000 ° C yoki undan yuqori haroratni saqlab turishi kerak. G'ovakli grafit juda past issiqlik o'tkazuvchanligi bilan issiqlik yo'qotilishini minimallashtiradi va o'choq kamerasida barqaror issiqlik taqsimotini ta'minlaydi. Eng muhimi, g'ovakli grafit izolyatsiyasi komponentlarining geometrik shakli va g'ovak taqsimotini aniq loyihalash orqali o'choq ichidagi kristall o'sishi uchun zarur bo'lgan aniq harorat gradientini oqilona shakllantirish va saqlash mumkin. Bu gradient SiC bug'larini tashish va kristallning tartibli o'sishi uchun harakatlantiruvchi kuch bo'lib xizmat qiladi; hatto kichik harorat o'zgarishlari ham kristall nuqsonlarga olib kelishi mumkin. Shuning uchun, past issiqlik o'tkazuvchanligi grafit izolyatsiyasi SiC kristalining o'sishi muhitining issiqlik barqarorligini ta'minlash uchun asosdir.

Uning yuqori tozalik xususiyatlari mukammal kimyoviy inertlikni ta'minlaydi, bu unga yuqori haroratli korroziyaga qarshi turish va o'choq korpusini himoya qilish imkonini beradi va shu bilan toza o'sish muhitini ta'minlaydi.

SiC monokristallari uchun o'sish muhiti juda yuqori tozalikni talab qiladi. Pech ichidagi yuqori harorat nafaqat reaktsiyalarni tezlashtiradi, balki materialning buzilishiga yoki aralashmalarning kirib kelishiga olib kelishi mumkin. Semixlab'ning yuqori tozaligidagi g'ovakli grafit (Yuqori tozalikdagi gözenekli grafit) ajoyib kimyoviy inertlikni namoyish etadi, ya'ni u hatto juda yuqori haroratlarda ham SiC o'sishi uchun zarur bo'lgan kremniy manbalari, uglerod manbalari yoki himoya muhitlari (masalan, argon) bilan reaksiyaga kirishmaydi. Ushbu yuqori haroratli korroziyaga chidamlilik qimmatbaho o'choq strukturasini va ichki qismlarini eroziyadan samarali himoya qiladi, nopoklik kiritish xavfini tubdan yo'q qiladi. Toza, ifloslanishsiz o'sish muhiti yuqori sifatli silikon karbid kristallarini ishlab chiqarish uchun zaruriy shartdir.

Uning eng asosiy va o'ziga xos funktsiyasi gazlarni (tashuvchi gazlar va reaktsiyaning yon mahsuloti) material orqali bir tekis va barqaror tarqalishiga imkon beruvchi boshqariladigan o'tkazuvchanligidadir, bu esa o'choq ichidagi past bosimli sharoitlarning dinamik muvozanatiga erishish imkonini beradi. Bu keskin bosim o'zgarishi va turbulentlikning oldini oladi, shu bilan SiC bug 'fazasi materiallarining barqaror tashilishi va kristall interfeysida yuqori sifatli o'sishni ta'minlaydi.

Bu SiC kristalli o'sishida gözenekli grafitning eng muhim va almashtirib bo'lmaydigan funktsiyasidir. SiC kristallari odatda sublimatsiya usuli yordamida o'stiriladi, bu silikon-uglerod bug'ini tashuvchi gaz orqali urug'lik kristall yuzasiga tashishni o'z ichiga oladi. G'ovakli grafitning o'ziga xos boshqariladigan o'tkazuvchanligi uning o'zaro bog'langan mikrog'ovakli tuzilishi tashuvchi gaz (masalan, argon) va reaktsiya yon mahsulotlar (masalan, reaksiyaga kirishmagan Si va C bug'lari) bir xil va barqaror tezlikda tarqalishiga imkon berishini anglatadi. Bu boshqariladigan gaz oqimi juda muhim, chunki u:

1. Pech ichidagi past bosimli muhitda dinamik muvozanatga erishing: SiC bug'larini tashish uchun ideal sharoit bo'lgan mahalliy yuqori bosimli yoki manfiy bosimli zonalarning shakllanishiga yo'l qo'ymaslik uchun pech kamerasida barqaror past bosimli muhitni saqlang.

2. To'satdan bosim o'zgarishi va turbulentlikning oldini olish: Nazorat qilinmagan gaz oqimi o'choq bosimi yoki turbulentlikning keskin o'zgarishiga olib kelishi mumkin, bu SiC bug'ining o'tish yo'lini jiddiy ravishda buzishi, notekis uzatilishiga olib keladi va shu bilan kristalning bir xil o'sishi va sifatiga ta'sir qiladi.

3. SiC bug 'fazasi materiallarini barqaror tashishni ta'minlash: Barqaror gaz diffuziyasi SiC prekursorlari (kremniy va uglerod bug'lari) urug'ning kristall yuzasiga doimiy va bir xilda etib borishini ta'minlaydi, bu etarli ta'minot yoki ortiqcha to'planish kabi muammolarni oldini oladi.

4. Yuqori sifatli kristall interfeys o'sishini rag'batlantirish: Barqaror bug 'fazasini uzatish tekis, nuqsonsiz kristall interfeyslarni shakllantirish uchun asosdir. Gözenekli grafit orqali gaz tarqalishini aniq nazorat qilish orqali kristall o'sishi paytida dislokatsiyalar va mikrotubalar kabi nuqsonlarni samarali ravishda bostirish mumkin, natijada yuqori sifatli, katta o'lchamdagi SiC monokristallarini beradi.

Semixlab-ning gözenekli grafit mahsulotining afzalliklari va xizmat ko'rsatish kafolatlari

1. Bir nechta spetsifikatsiyalar va moslashtirish xizmatlarini qo'llab-quvvatlash

Semixlab gözenekli grafit mahsulotlarini mijozlar talablariga muvofiq sozlashi mumkin, shu jumladan, lekin ular bilan cheklanmagan:

● Izolyatsiya g'ishtlari, issiqlik izolyatsiyasi qoplamalari

● Gaz diffuziya plitalari, o'tkazuvchan bloklar

● Maxsus termal maydon komponentlari (taqdim etilgan chizmalar asosida maxsus ishlab chiqarish mavjud)

● Moslashtirish diapazoni: porozlik 10%-80%, qalinligi ± 0.1 mm aniqlik nazorati

2. Tez yetkazib berish va yuqori standartli qadoqlash

Biz moslashuvchan va samarali ta'minot zanjiri tizimini taklif etamiz:

● Etkazib berish davri: standart spetsifikatsiyalar 5-7 ish kuni ichida jo'natiladi; buyurtma qilingan qismlar chizilgan tasdiqlovidan keyin 10-15 kun ichida yetkazib beriladi.

● Qadoqlash standartlari: Xavfsiz va ifloslanishsiz tashishni ta'minlash uchun vakuumli changga chidamli qadoqlash + ko'p qatlamli tamponlama himoyasi.

Semixlabning g'ovakli grafitini tanlash siz yuqori sifat, professional moslashtirish va ajoyib xizmatni tanlayotganingizni anglatadi. Sizning ilg'or texnologik ilovalaringiz uchun ishonchli material yechimlarini taqdim etish uchun siz bilan hamkorlik qilishni orziqib kutamiz.