SiC qoplamali disk

SiC qoplamali disk tarkibi

Semixlab SiC Coated Set Disc - bu Aixtron MOCVD uskunalari uchun mo'ljallangan gofret tashuvchisi. U asosan quyidagi ikki qismdan iborat:

1. Substrat materiali: yuqori tozalikdagi izostatik grafit

Materialning xususiyatlari: juda yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi (180 Vt / m · K gacha), yuqori haroratlarda kuchli barqarorlik, deformatsiya yoki yorilish oson emas.

Afzalliklar: gofretlar uchun yaxshi termal bir xillik va strukturaviy mustahkamlikni ta'minlaydi, bu o'sish jarayonining izchilligini ta'minlash uchun muhim asosdir.

2. Yuzaki qoplama: yuqori toza SiC (kremniy karbid) ning CVD cho'kmasi

Cho'kma usuli: Plazma bilan kuchaytirilgan CVD yoki termal CVD jarayoni qo'llaniladi va qoplama qalinligi 50-200 mkm oralig'ida nazorat qilinadi.

Xususiyat tavsifi: Sirt qatlami zich va g'ovaksiz, Mohs qattiqligining mexanik kuchi 9 ga yaqin, korroziyaga va yuqori harorat ta'siriga juda chidamli.

Nima uchun Semixlab ni tanlaysiz?

Agar izlayotgan bo'lsangiz:

● Aixron tizimlari uchun yuqori samarali SiC qoplamali disk.

● Maxsus o'lchamlarni, ta'mirlash xizmatlarini va yuqori haroratli korroziyali muhitlarni qo'llab-quvvatlaydigan tashuvchi echimlari.

● MOCVD rentabelligini yaxshilaydigan va jarayon barqarorligi davrlarini uzaytiradigan yuqori sifatli komponentlar.

Iltimos, so'nggi narx va texnik xususiyatlarni olish uchun hozir biz bilan bog'laning. Biz sizni ishlab chiqarish liniyasiga tezda joylashtirishga yordam berish uchun global yetkazib berish va texnik yordam xizmatlarini taqdim etamiz.

Asosiy fizik xususiyatlarni tahlil qilish

1. Yuqori haroratga qarshilik

Ishlash haroratining yuqori chegarasi 1600 ° C + ga yetishi mumkin. Qoplama strukturasi termal stress tufayli yorilib ketmaydi va tozalanmaydi va uzoq muddatli MOCVD reaktsiya muhitiga bardosh bera oladi.

2. Issiqlik o'tkazuvchanligi va issiqlik bir xilligi

Substrat + qoplamaning kombinatsiyasi issiqlik o'tkazuvchanligini yanada samarali qiladi va notekis issiqlikdan kelib chiqqan gofret o'sishi nuqsonlarini oldini oladi. Issiqlik o'tkazuvchanligining mustahkamligi cho'kma qalinligi va tarkibining bir xil taqsimlanishini ta'minlaydi va hosilni yaxshilaydi.

3. Kimyoviy korroziyaga chidamliligi

Qoplama vodorod, ammiak, TMGa va TMAl kabi yuqori korroziv MOCVD texnologik gazlariga samarali qarshilik ko'rsatishi mumkin. Materialning o'zi juda zich b-SiC tuzilmasi bo'lib, reaktsiya gazi bilan deyarli hech qanday yon reaktsiyalar sodir bo'lmaydi.

4. Yuzaki zarrachalarni nazorat qilish

Qoplama yuzasi past pürüzlülüğe ega (Ra<0.5 mkm) va zarrachalarni adsorbsiyalash yoki tozalash oson emas. Jarayonning mikro-zarrachalar bilan ifloslanishini kamaytiring, ayniqsa 6 dyuym va undan yuqori bo'lgan katta o'lchamdagi gofret jarayonlari uchun javob beradi.

Mahsulotni qo'llash stsenariylari va ularning vazifalari

1. Aixtron sayyoraviy reaktor tuzilishi uchun maxsus ishlab chiqilgan

AIX 200 va AIX 2800G4 kabi sayyoraviy aylanuvchi konstruksiyalarning reaktsiya kameralariga qo'llaniladi.

Disk tuzilishi aylanish jarayonida gofretning termal simmetriyasi va havo oqimi muvozanatini ta'minlash uchun aniq mo'ljallangan.

2. Murakkab yarimo'tkazgichli epitaksiyada muhim roli

Har xil III-V birikma materiallarining MOCVD epitaksial o'sishi uchun qo'llaniladi, shu jumladan, lekin ular bilan cheklanmagan:

● GaN/AlGaN: LEDlar, lazerlar, quvvat qurilmalari uchun.

● AlN, InGaN: UV LED va yuqori chastotali qurilmalar uchun.

● GaAs/InP epitaksisi: yuqori tezlikdagi elektron qurilmalar va lazerli aloqa chiplari uchun.

Yarimo'tkazgichli chip epitaksi sanoat zanjiri:

Semixlab SiC qoplamali disklar do'konlari