TaC bilan qoplangan aylanish susseptori

Semixlab kompaniyasining TaC bilan qoplangan aylanuvchi substratlari keyingi avlod SiC epitaksial jarayonlari talablarini qondirish uchun maxsus ishlab chiqilgan. Bizning TaC qoplama texnologiyamiz aniq muvozanatli aylanuvchi dizayn bilan birgalikda yuqori haroratli CVD muhitida ajoyib issiqlik bir xilligini ta'minlaydi, zarrachalar hosil bo'lishini minimallashtiradi va uzoq muddatli jarayon barqarorligini ta'minlaydi.

Ushbu dizaynning markazida grafit substratini vodorod korroziyasidan, yuqori haroratli sublimatsiyadan va kremniy yoki uglerod o'z ichiga olgan prekursor gazlari bilan reaksiyalardan himoya qiluvchi zich, kimyoviy jihatdan inert tantal karbid qoplamasi yotadi. TaC ning ultra yuqori erish nuqtasi va ajoyib issiqlik o'tkazuvchanligi 4H-SiC epitaksiyasi paytida barqaror, bir xil issiqlik uzatilishini ta'minlaydi, 1600-1700°C dan yuqori o'sish haroratini qo'llab-quvvatlaydi. Plitaning aylanishi paytida boshqariladigan issiqlik maydonini saqlab qolish orqali ushbu substrat prekursorning bir xil taqsimlanishini, yaxshilangan laminar oqimni va qalinlik va qo'shimchalar konsentratsiyasida plita darajasidagi bir xillikni ta'minlaydi. Bu drift qatlamlari, JBS epitaksial qatlamlari yoki qalin yuqori kuchlanishli epitaksial steklar kabi quvvat qurilmasi tuzilmalari uchun juda muhimdir, bu yerda bir xillikdagi og'ishlar hosildorlik va elektr ko'rsatkichlariga sezilarli darajada ta'sir qiladi.

TaC bilan qoplangan aylanuvchi substrat, shuningdek, SiC epitaksiyasidagi eng muhim jihatlardan biri bo'lgan ifloslanishni nazorat qilish uchun optimallashtirilgan. Ultra qattiq TaC yuzasi uzoq vaqt sikldan keyin ham mikro yoriqlar, po'stloqlanish va to'kilib ketishga chidamli bo'lib, epitaksial kamerada zarrachalar hosil bo'lishini sezilarli darajada kamaytiradi. Uning barqaror kimyoviy xossalari metall yoki uglerod asosidagi aralashmalarning kirib kelishini minimallashtiradi, epitaksial plyonkaning sofligini saqlaydi va nuqson zichligini pasaytiradi. Bu afzalliklar texnik xizmat ko'rsatish vaqtini sezilarli darajada uzaytiradi, kameraning ish vaqtini oshiradi va uskunaning umumiy unumdorligini oshiradi - ayniqsa, ishonchlilik va takrorlanish qobiliyati egalik qilishning umumiy qiymatiga bevosita ta'sir qiladigan yuqori hajmli ishlab chiqarish muhitida.

Muhandislik nuqtai nazaridan, Semixlab substrat dizayni ekstremal haroratlarda izchil aylanish ko'rsatkichini saqlab qolish uchun aniq geometrik muvozanat, optimallashtirilgan qoplama qalinligi va ilg'or sirtni qayta ishlash texnikasidan foydalanadi. Bu turli xil o'sish sharoitlarida gofret harorati taqsimotini barqarorlashtirish bilan birga induksion isitish samaradorligini oshiradi. Oxir-oqibat, biz yuqori hajmli ishlab chiqarish va ilg'or ilmiy-tadqiqot ishlari uchun ideal substrat yechimini taqdim etamiz, bu esa yetakchi SiC epitaksial platformalari bilan moslikni va 6 dyuymli va 8 dyuymli gofret jarayonlariga moslashishni ta'minlaydi.

Semixlabning TaC bilan qoplangan aylanuvchi substratlari oxir-oqibat yuqori darajada ishonchli jarayon interfeysi bo'lib xizmat qiladi, epitaksial sifatni oshiradi, qurilma samaradorligini oshiradi va zamonaviy SiC quvvat qurilmalarini ishlab chiqarish uchun zarur bo'lgan torroq jarayon oynalarini qo'llab-quvvatlaydi. Uzoq muddatli xizmat muddati, past zarrachalar ifloslanishi va ajoyib issiqlik ishlashi uchun ishlab chiqilgan ushbu mahsulot barqaror, oldindan aytib bo'ladigan va jahon darajasidagi SiC epitaksial ishlab chiqarish natijalarini izlayotgan fabrikalar uchun asosiy komponent hisoblanadi.