Yarimo'tkazgichli kvarts halqasi

Semixlab-da biz keyingi avlod yarimo'tkazgichlarni qayta ishlash muhitlari uchun mo'ljallangan yuqori toza kvarts komponentlarini ishlab chiqish va ishlab chiqarishga ixtisoslashganmiz. Ular orasida Semixlab yuqori toza kvarts halqasi gofret ishlab chiqarishning bir nechta bosqichlarida muhim rol o'ynaydi, bu erda o'lchov aniqligi, kimyoviy tozaligi va issiqlik barqarorligi jarayonning ishlashi va qurilmaning rentabelligiga bevosita ta'sir qiladi.

Kimyoviy bug 'cho'ktirish (CVD) tizimlarida, shu jumladan LPCVD, PECVD va yuqori haroratli SiC yoki Si epitaksi reaktorlari - kvarts halqasi sezgir va reaktsiya kamerasi o'rtasidagi tizimli va funktsional interfeys bo'lib xizmat qiladi. Uning asosiy vazifasi reaktiv gaz oqimlarini izolyatsiya qilish, kamera devorlarida parazitlarning cho'kishini kamaytirish va gofret atrofidagi termal profilni barqarorlashtirishdir. Semixlab-ning nozik jilolangan kvartsining ajoyib termal bir xilligi plyonkaning izchil qalinligi va gofret bo'ylab yuqori sirt sifatini ta'minlaydi. Materialning optik shaffofligi va infraqizil yansıtıcılığı, shuningdek, isitish samaradorligini oshirish va cho'kma zonasidagi harorat gradyanlarini kamaytirish uchun moslashtirilishi mumkin.

Plazma o'yish (Quruq o'yish) jarayonlarida kvarts halqasi plazma eroziyasi va ion bombardimoniga qarshi himoya to'sig'i bo'lib xizmat qiladi, kameraning metall yuzalarini ifloslanish va zarrachalar hosil bo'lishidan himoya qiladi. Qattiq nazorat qilinadigan aralashmalar spetsifikatsiyalari (<1 ppm metall ifloslanishi) ostida ishlab chiqarilgan yuqori zichlikdagi sintetik kvartsimiz agressiv ftor va xlor asosidagi plazmalarga uzoq vaqt ta'sir qilishda ham o'lchov yaxlitligini saqlaydi. Bu kamera komponentlarining ishlash muddatini sezilarli darajada uzaytiradi va o'yish bir xilligi va CD (kritik o'lchov) nazorati uchun muhim parametr bo'lgan barqaror plazma taqsimotini saqlashga yordam beradi.

Oksidlanish va diffuziya pechlarida Semixlab kvarts halqalari gofretli qayiqlarni qo'llab-quvvatlaydigan va texnologik gaz oqimi yo'lini aniqlaydigan nozik hizalama va izolyatsiyalash elementlari sifatida ishlaydi. Ularning ultra past termal kengayish koeffitsienti 1000 ° C dan yuqori haroratlarda takroriy termal aylanish paytida stressni kamaytiradi. Natijada yuqori haroratli oksidlanish yoki dopant diffuziya bosqichlarida jarayonning takrorlanishi yaxshilanadi, nuqsonlar kamayadi va zarrachalar bilan ifloslanish xavfi minimallashtiriladi.

Epitaksial o'sish jarayonlari uchun, ayniqsa SiC epitaksisida, kvarts halqasi haroratning bir xilligiga va kimyoviy izolyatsiyaga yordam beradi. Grafit yoki SiC bilan qoplangan susseptor atrofida joylashgan bo'lib, u gaz chegara qatlamini shakllantirib, gofret yuzasi bo'ylab qo'shimcha va qalinligi bir xilligini yaxshilaydigan aks ettiruvchi va cheklovchi komponent sifatida ishlaydi. Yuqori issiqlik qarshiligi, kimyoviy inertlik va optik barqarorlikning kombinatsiyasi Semixlab kvarts halqalariga vodorodga boy atmosferalarda 1600 °C ga yaqin haroratlarda ham ishlashni saqlab qolish imkonini beradi.

O'nlab yillar davomida materialshunoslik bo'yicha tajriba va aniq ishlab chiqarish natijasida Semixlabning yuqori toza kvarts halqalari ishonchlilik, tozalik va jarayon barqarorligini oshirishga intilayotgan global yarimo'tkazgich ishlab chiqaruvchilari va uskunalari OEMlari uchun ishonchli tanlovga aylandi. Har bir komponent SEMI standartlariga muvofiq ishlab chiqilgan, ICP-MS elementar tahlili orqali tasdiqlangan va ISO sertifikatiga ega toza ishlab chiqarish muhitida qayta ishlanadi. Ushbu atributlar Semixlab kvarts uzuklarining barqaror ishlashni ta'minlaydi, ishlamay qolish vaqtini minimallashtiradi va mijozlarga ilg'or yarimo'tkazgichlar ishlab chiqarishda jarayonni qattiqroq nazorat qilish va yuqori qurilma rentabelligiga erishishga yordam beradi.