Kvars issiqlik qalqoni

Sutli oq kvartsdan tayyorlangan kvarts issiqlik qalqoni yuqori haroratli SiC epitaksi tizimlarida foydalanish uchun mo'ljallangan ilg'or issiqlik boshqaruv komponentidir. Shaffof kvarts bilan solishtirganda, bu material yuqori izolyatsiya, yaxshilangan jarayon barqarorligi va yaxshi iqtisodiy samaradorlikni ta'minlaydi - bu MOCVD va CVD reaktsiya kameralarida termal himoya qilish uchun ideal qiladi.

Ⅰ. Materiallar tarkibi va asosiy jismoniy xususiyatlari

● Material: Sutli oq kvarts (tarqalgan mikro pufakchalar va don chegaralari bilan sintetik eritilgan kremniy oksidi)

● Rang va tashqi ko'rinish: Shaffof oq

● Issiqlik o'tkazuvchanligi: ichki qabariq tuzilishi tufayli shaffof kvartsdan pastroq

● Ishlash harorati: 1700°C gacha barqaror

● Termal kengayish koeffitsienti: ~0.55 × 10⁻⁶ /K (shaffof kvarts bilan bir xil)

● Yuqori termal zarba qarshiligi

● Ajoyib kimyoviy soflik: 1 ppm dan past bo'lmagan aralashmalar (masalan, Al, Na)

Ⅱ. SiC Epitaxy ilovalaridagi asosiy funktsiyalar

Sutli oq kvarts quyidagi muhim afzalliklari tufayli SiC epitaksial reaktorlari uchun maxsus tanlangan:

(1) Kengaytirilgan issiqlik izolyatsiyasi ishlashi

Infraqizil nurlanishning tarqalishi: ichki pufakchalar va don chegaralari IR radiatsiyasini bir necha marta tarqatib yuboradi, bu radiatsiyaviy issiqlik uzatishni sezilarli darajada kamaytiradi. 1500-1700 ° S haroratda shaffof kvartsga qaraganda 30-50% yaxshiroq izolyatsiyani taklif qiladi.

Past issiqlik o'tkazuvchanligi: Microbubble taqsimoti o'tkazuvchan issiqlik yo'qotilishini kamaytiradi, umumiy issiqlik samaradorligini optimallashtiradi.

(2) Yuqori haroratga chidamlilik va barqarorlik

Termal zarba qarshiligi: Shaffof kvarts bilan bir xil kengayish koeffitsientiga ega bo'lsa-da, uning mikro tuzilishi mahalliy termal stressni o'zlashtirishga yordam beradi - bu tez ko'tarilish / pasayish jarayonlari uchun ideal.

Kristallanishga chidamlilik: Yuqori haroratni pasaytiradigan atmosferalarda (masalan, H₂) sutli kvarts a-kristobalitga devitrififikatsiyaga chidamliroq bo'lib, sinish xavfini kamaytiradi.

(3) Jarayonning muvofiqligi va cho'kma nazorati

Parazitlarning cho'kishi kamayadi: uning shaffofligi mahalliy qizib ketishni yumshatadi, bu esa qalqon yuzalarida prekursorlarning (masalan, SiH₄, C₃H₈) muddatidan oldin parchalanishini oldini oladi.

Yagona harorat maydoni: Tarqalish harakati reaktsiya zonasi bo'ylab haroratning teng taqsimlanishiga yordam beradi, bu SiC quvvat qurilmalarida epitaksial qatlamning bir xilligiga erishish uchun juda muhimdir.

(4) Iqtisodiy samaradorlik

Materialning arzonligi: Sutli oq kvarts odatda ultra yuqori toza shaffof kvartsdan ko'ra arzonroq bo'lib, uni iste'mol qilinadigan termal to'siq komponenti sifatida moslashtiradi.

(5) Ta'minot va mulohazalar

Soflikni ta'minlash: SiC epitaksial yuzasining ifloslanishini oldini olish uchun juda past ifloslanish darajasini (Al, Na < 1 ppm) ta'minlang.

Hayotiy tsiklni boshqarish: Uzoq muddatli foydalanishdan so'ng (odatda > 1000 soat), mikro qabariq birlashishi termal ko'rsatkichni pasaytirishi mumkin - muntazam ravishda almashtirish tavsiya etiladi.

Odatda qo'llanmalar

✔SiC MOCVD va CVD reaktorlari

✔SiC quvvatli yarimo'tkazgichlarning epitaksial o'sishi

✔Yuqori haroratli diffuziya va yotqizish kameralari

✔Vakuum/inert gaz muhitida termal himoya